На основе использования свойств р-n-перехода в настоящее

время создано множество различных типов полупроводниковых

диодов.

Выпрямительные диоды предназначены для преобразования пе-

ременного тока в постоянный.Их основные параметры: I__Їа max

__-__¬ ЄбЁ¬ “м­л© Їаאַ© в®Є__; __V__Їа_^^&-__- Ї ¤Ґ­ЁҐ ­ Їа殮­Ёп ­ ¤Ё®¤Ґ

ЇаЁ Їаאַ¬ ᬥ饭ЁЁ Ё § ¤ ­­®¬ в®ЄҐ;I__®Ўа__ __-__в®Є зҐаҐ§ ¤Ё®¤ ЇаЁ

®Ўа в­®¬ ᬥ饭ЁЁ Ё § ¤ ­­®¬ ­ Їа殮­ЁЁ;V__®Ўа max__ - ¬ ЄбЁ-

¬ “м­®Ґ ®Ўа в­®Ґ ­ Їа殮­ЁҐ; f-¤Ё Ї §он частот,в котором

выпрямленный ток не снижается меньше заданного уровня.

По величине выпрямленного тока выпрямительные диоды

малой(I__Їа < 0,3Ђ),__б।­Ґ© (0,3 A <I__Їа >10 Ђ) __Ё Ў®“ми®© (I__Їа

__>10A)__ ¬®й­®бвЁ. „“п ᮧ¤ ­Ёп ўлЇаﬨ⥓м­ле ¤Ё®¤®ў ЇаЁ¬Ґ-

­повбп Ї“®бЄ®бв­лҐ p-n-ЇҐаҐе®¤л,Ї®“г祭­лҐ бЇ“ ў“Ґ­ЁҐ¬ Ё

¤Ёддг§ЁҐ©.‚лб®ЄЁҐ §­ 祭Ёп I__Їа__ ®ЎҐбЇҐзЁў овбп ЁбЇ®“짮ў -

­ЁҐ¬ p-n-ЇҐаҐе®¤®ў б Ў®“ми®© Ї“®й ¤мо.

Ѓ®“миЁҐ §­ 祭Ёп V__®Ўа__ max ¤®бвЁЈ овбп ЁбЇ®“짮ў ­ЁҐ¬ ў Є -

честве базы диода материала с высоким удельным сопротивле-

нием.Наибольшие значения V__®Ўа__ max ¬®Јгв Ўлвм Ї®“гзҐ­л ЇаЁ

ЁбЇ®“짮ў ­ЁЁ p-i-n-¤Ё®¤ ,в Є иЁаЁ­ ®Ў“ бвЁ ®ЎкҐ¬­®Ј® § ап-

¤ ў ­Ґ¬ ­ ЁЎ®“ми п, б“Ґ¤®ў ⥓쭮,­ ЁЎ®“м襥 Ё §­ 祭ЁҐ

­ Їа殮­ЁҐ Їа®Ў®п.’ Є Є Є б Ё§¬Ґ­Ґ­ЁҐ¬ ⥬ЇҐа вгал V__®Ўа__ max

Ё§¬Ґ­пҐвбп, в® ҐЈ® §­ 祭ЁҐ ¤ Ґвбп ¤“п ®ЇаҐ¤Ґ“Ґ­­®© ⥬ЇҐа -

вгал (®Ўлз­® Є®¬­ в­го) .

ЏаЁ Ў®“миЁе IЇа ў ¤Ё®¤Ґ, ўб“Ґ¤бвўЁҐ Ї ¤Ґ­Ёп ­ Їа殮­Ёп ­

­Ґ¬, ўл¤Ґ“пҐвбп ⥯“®.Џ®н⮬㠢лЇаﬨ⥓мные диоды отличают-

ся от остальных типов диодов большими размерами корпуса и

внешних выводов для улучшения теплоотвода.

Выпрямительные диоды изготавливают в настоящее время в ос-

новном из кремния и германия.Кремниевые диоды позволяют по-

лучать высокие обратные напряжения пробоя, так как удельное

сопротивление собственного кремния (p 10 Ом см) много

больше удельного сопротивления собственного германия(p 50 Ом

см).Кроме этого, кремниевые диоды оказываются работоспособ-

ными в большем интервале температур (-60...+125С),поскольку

ширина запрещенной зоны в кремнии(1,12эВ)больше, чем в гер-

мании(0,72эВ), а следовательно, обратный ток меньше(1,46).

Германиевые диоды работоспособны в меньшем интервале темпе-

ратур(-60...+85C),однако их выгоднее применять при выпрямле-

нии низких напряжений, так как V__Їа__ ¤“п ЈҐа¬ ­ЁҐўле

¤Ё®¤®ў(0,3...0,8 B ) ¬Ґ­миҐ , 祬 ¤“п ЄаҐ¬­ЁҐўле(¤®

1,2‚).‘“Ґ¤®ў ⥓쭮, ¬Ґ­миҐ Ўг¤Ґв Ё ¬®й­®бвм, а бᥨў Ґ¬ п

ў­гваЁ ЈҐа¬ ­ЁҐў®Ј® ¤Ё®¤ .

Полупроводниковые диоды, на вольт-амперной характеристи-

ке которых имеется участок со слабой зависимостью напряже-

ния от тока,называются стабилитронами.Таким участком являет-

ся участок пробоя p-n-перехода.Для изготовления стабилитро-

нов используют кремний, так как обратный ток кремниевых дио-

дов, по сравнению с германиевыми, меньше зависят от темпера-

туры,а следовательно, вероятность теплового пробоя в них

меньше и напряжение на участке пробоя (лавинного или тун-

нельного)почти не изменяется с изменением тока.

Основные параметры стабилитронов:V__бв__-­ Їа殮­ЁҐ бв ЎЁ“Ё§ -

жЁЁ;Iбв min-¬Ё­Ё¬ “м­л© в®Є,б Є®в®а®Ј® ­ зЁ­ Ґвбп бв ЎЁ“Ё§ -

жЁп ­ Їа殮­Ёп;R__¤__=dV/dI-¤ЁддҐаҐ­жЁ “м­®Ґ б®Їа®вЁў“Ґ­ЁҐ (ў

а Ў®зҐ© в®зЄҐ);R__бв в__=V/I-бв вЁзҐбЄ®Ґ б®Їа®вЁў“Ґ­ЁҐ (ў а Ў®-

祩 в®зЄҐ); Q=R¤/R__бв в__-Є®нддЁжЁҐ­в Є зҐбвў ;

’ЌЉ=(1/V__бв__)(dV__бв__/dT)-⥬ЇҐа вга­л© Є®нддЁжЁҐ­в ­ Їа殮­Ёп

бв ЎЁ“Ё§ жЁЁ.

‘в ЎЁ“Ёва®­л Ё§Ј®в ў“Ёў овбп б а §“Ёз­л¬Ё §­ 祭Ёп¬Ё

Vбв,®т 3 до 200 В.

Для диодов с V__бв__>7‚ иЁаЁ­ p-n-ЇҐаҐе®¤

¤®бв в®з­® ўҐ“ЁЄ Ё ¬Ґе ­Ё§¬ Їа®Ў®п “ ўЁ­­л©. ‘ а®б⮬ ⥬-

ЇҐа вгал ®Ўа в­л© в®Є ¤Ё®¤ 㢥“ЁзЁў Ґвбп, в Є-¦Ґ 㢥“ЁзЁ-

ў Ґвбп Ё ­ Їа殮­ЁҐ Їа®Ў®п. ќв® ®Ўгб“®ў“Ґ­® ⥬, з⮠⥯“®-

ў®Ґ а ббҐп­ЁҐ 㢥“ЁзЁў Ґвбп, ¤“Ё­ бў®Ў®¤­®Ј® Їа®ЎҐЈ ­®бЁ-

⥓Ґ© 㬥­ми Ґвбп Ё Є p-n-ЇҐаҐе®¤г вॡгҐвбп ЇаЁ“®¦Ёвм

Ў®“м襥 ­ Їа殮­ЁҐ, зв®Ўл ­®бЁвҐ“Ё § ап¤ ­ Ў®“м襬 ЇгвЁ

(а ў­®¬ ¤“Ё­Ґ бў®Ў®¤­®Ј® Їа®ЎҐЈ ) ­ Ўа “Ё ЄЁ­ҐвЁзҐбЄго н­Ґа-

ЈЁо, ¤®бв в®з­ую для ионизации.

В диодах с V__бв__<7‚ иЁаЁ­ p-n-ЇҐаҐе®¤ ¬ “ Ё ­ ап¤г б “ -

ўЁ­­л¬ ¬Ґе ­Ё§¬®¬ ¤Ґ©бвўгҐв Ё вг­­Ґ“м­л©.

Љ®­бвагЄвЁў­® бв ЎЁ“Ёва®­л Ё§Ј®в ў“Ёў овбп Ї®¤®Ў­® ўлЇап-

¬ЁвҐ“м­л¬ ¤Ё®¤ ¬, Ё Ёе ¬®¦­® ЁбЇ®“짮ў вм ў¬Ґбв® ¤Ё®¤®ў.

__?¬Їг“мб­лҐ „Ё®¤л

?¬Їг“мб­л¬Ё ­ §лў овбп ¤Ё®¤л, Є®в®алҐ ¬®Јгв а Ў®в вм б

ўаҐ¬Ґ­ ¬Ё ЇҐаҐЄ“о祭Ёп 1 ¬Єб Ё ¬Ґ­миҐ. ‚лб®Є®з бв®в­л¬Ё -

ўлЇаﬨ⥓м­лҐ ¤Ё®¤л, ЇаҐ¤­ §­ 祭­лҐ ¤“п а Ў®вл ­ з бв®-

в е ¤® 150 Њѓж Ё ўлиҐ.

Ѓ®“м讥 ў“Ёп­ЁҐ ­ е а ЄвҐаЁстики p-n-перехода на высоких

частотах оказывает зарядная емкость. Ее влияние проявляется

в шунтировании p-n-перехода на высоких частотах и ухудшении

выпрямляющих свойств. В импульсных диодах наличие зарядной

емкости приводит к искажению формы импульса. Поэтому им-

пульсные и высокочастотные диоды характеризуются как малым

значением диффузионной емкости так и малым значением заряд-

ной емкости. Малое значение зарядной емкости достигается

уменьшением площади p-n-перехода. Поэтому основная конструк-

тивная задача заключается в уменьшении площади p-n-перехода.

Для изготовления импульсных и высокочастотных диодов

используют германий и кремний. Преимуществом диодов из гер-

мания является малое значение падения напряжения на диоде

при прямом смещении, что существенно при работе диодов при

малых сигналах.

Представляет интерес создание импульсных и высокочастот-

ных диодов на основе гетеропереходов с одним типом проводи-

мости, например, n1-n2.

Если работа выхода электронов

из широкозонного полупроводника

меньше, чем из узкозонного, то

энергетическая диаграмма n1-n2-

гетероперехода может быть пред-

ставлена в виде (Рис. 1)

Рис. 1

При подаче напряжения на гетеропереход, например положи-

тельного на n2, а отрицательного на n1-полупроводник, элек-

троны из n1-полупроводника смогут переходить в n2-полупро-

водник. Через гетеропереход протекает ток, и такую поляр-

ность внешнего напряжения можно назвать прямой.

При обратном смещении электроны из n2-полупроводника бу-

дут скатываться в потенциальную яму перед переходом, пройти

который они не могут, так как перед ними находится потен-

циальный барьер. Обратный ток может образоваться только за

счет туннельного перехода электронов из n2-полупроводника

через потенциальный барьер и за счет перехода дырок из n1- в

n2-полупроводник. Для его уменьшения первый полупроводник

должен быть достаточно сильно легирован, чтобы концентрация

неосновных носителей была мала, а ширина перехода должна

быть достаточно большой, чтобы электроны из n2-полупроводни-

ка не смогли туннелировать через потенциальный барьер.

__„Ё®¤л ?®ввЄЁ

„“п ᮧ¤ ­Ёп ¤Ё®¤®ў ?®ввЄЁ ЁбЇ®“м§гҐвбп Є®­в Єв ¬Ґв “-Ї®-

“гЇа®ў®¤­ЁЄ. „Ё®¤л ?®ввЄЁ ®в“Ёз овбп ⥬, зв® Ёе а Ў®в ®б-

­®ў ­ ­ ЇҐаҐ­®бҐ ®б­®ў­ле ­®бЁвҐ“Ґ©. ЏаЁ Їаאַ¬ ᬥ饭ЁЁ

н“ҐЄва®­л Ё§ Ї®“гЇа®ў®¤­ЁЄ ЇҐаҐе®¤пв ў ¬Ґв ““. ?е н­ҐаЈЁп

­ Ў®“миҐ н­ҐаЈЁЁ н“ҐЄва®­®ў ў ¬Ґв ““Ґ. ќ“ҐЄва®­л Ё§ Ї®“гЇ-

роводника быстро (примерно за 10 с) теряют на соударениях

свою избыточную энергию и не могут возвратиться в полупро-

водник. В диодах Шоттки не происходит накопления заряда

неосновных носителей (обуславливающее снижение быстродей-

ствия p-n-перехода), поэтому они особенно перспективны для

использования в качестве сверхбыстродействующих импульсных и

высокочастотных диодов. Типичное время восстановления обрат-

ного сопротивления диода Шоттки на основе, например Au-Si,

порядка 10 пс и менее.

__”®в®¤Ё®¤л

…б“Ё Ї®¤ вм ­ ¤Ё®¤ ®Ўа в­®Ґ ᬥ饭ЁҐ, ®­ ¬®¦Ґв ЁбЇ®“짮-

ў вмбп ў Є зҐб⢥ д®в®ЇаЁҐ¬­ЁЄ , в®Є Є®в®а®Ј® § ўЁбЁв ®в ®б-

ўҐйҐ­Ёп. ЏаЁ ¤®бв в®з­® Ў®“миЁе ®Ўа в­ле ­ Їа殮­Ёпе

ў®“мв- ¬ЇҐа­ п е а ЄвҐаЁбвЁЄ (аЁб. 2) § ЇЁиҐвбп в Є:

_ I__=-(_ I__­ б__+_ I__д)__=-_ I__­ б__-_ qc__B_ S__”

в.Ґ. в®Є ­Ґ § ўЁбЁв ®в

­ Їа殮­Ёп, ®ЇаҐ¤Ґ-

“пҐвбп в®“мЄ® Ё­вҐ­бЁў-

­®бвмо ᢥв .

ђЁб. 2

„“п 㢥“ЁзҐ­Ёя чувствительности фотодиода может использо-

ваться эффект лавинного умножения носителей в области объем-

ного заряда p-n-перехода. К недостаткам лавинного фотодиода

следует отнести, во-первых зависимость _ Њ __®в Ё­вҐ­бЁў­®бвЁ

ᢥ⠨, ў®-ўв®але, ¦ҐбвЄЁҐ вॡ®ў ­Ёп Є бв ЎЁ“м­®бвЁ ЇЁв о-

饣® ­ Їа殮­Ёп (0,01... 0,2 %), в Є-Є Є Є®ндЁжЁҐ­в г¬­®¦Ґ-

­Ёп_ Њ __бЁ“м­® § ўЁбЁв ®в ­ Їа殮­Ёп.

?­ҐажЁ®­­лҐ бў®©бвў д®в®¤Ё®¤®ў ¬®¦­® е а ЄвҐаЁ§®ў вм ЇаҐ-

¤Ґ“м­®© а Ў®зҐ© з бв®в®© (з бв®в ¬®¤г“пжЁЁ ᢥва, на кото-

рой амплитуда фотоответа уменьшается до 0,7 от

максимальной), постоянной времени фотоответа (определяемой

по времени наростания импульса фотоответа до 0,63 до макси-

мального, при прямоугольном импульсе света), сдвигом фаз

между входным (световым) и выходным (электрическим) сигналом.

В общем случае, инерционность фотодиодов определяется тре-

мя основными параметрами: временем диффузии неравновесных

носителей через базу ; временем их полета через область

объемного заряда p-n-перехода ; RC-постоянной . Время

диффузии носителей через базу определено как:

=W_ __ /2_ D__p

‚аҐ¬п Ї®“Ґв ­®бЁвҐ“Ґ© зҐаҐ§ ®Ў“ бвм ®Ў“ бвм ®ЎкҐ¬­®Ј® § ап-

¤ (иЁаЁ­®© _ d__)_ __¬®¦­® ®жҐ­Ёвм Є Є =_ d__/V__max, __Ј¤Ґ V__max __- ¬ Є-

бЁ¬ “м­ п бЄ®а®бвм ¤ўЁ¦Ґ­Ёп ­®бЁвҐ“Ґ© ў н“ҐЄваЁзҐбЄ®¬ Ї®“Ґ,

Є®в®а п ЇаЁ Ў®“миЁе Ї®“пе ­Ґ § ўЁбЁв ®в ­ Їа殮­­®бвЁ н“ҐЄ-

ваЁзҐбЄ®Ј® Ї®“п ўб“Ґ¤бвўЁЁ 㬥­м襭Ёп Ї®¤ўЁ¦­®бвЁ ў бЁ“®ўле

Ї®“пе.

‚лб®ЄЁ¬ ЎлбвதҐ©бвўЁҐ¬ обладают фотодиоды на основе

барьера Шоттки. В типичной структуре такого диода через тон-

кую полупрозрачную пленку металла и поглощается в основном в

области объемного заряда полупроводника. Следовательно, ин-

нерционность обуславливается только временами __ i__ Ё __rc__.

Њ “®Ґ §­ 祭ЁҐ ®Ўгб“ ў“Ёў Ґвбп г§Є®© ®Ў“ бвмо ®ЎкҐ¬­®Ј®

§ ап¤ , ­ҐЎ®“м讥 §­ 祭ЁҐ Ї®“гз Ґвбп § бзҐв в®Ј®,

з⮠㤥“м­®Ґ б®Їа®вЁў“Ґ­ЁҐ ¬Ґв ““ ¬­®Ј® ¬Ґ­миҐ, 祬 Ї®“гЇ-

а®ў®¤­ЁЄ , Ё ᮮ⢥вб⢥­­® ¬Ґ­мше. Основными переносчи-

ками тока через контакт в этом случае являются дырки полуп-

роводника, которые практически мгновенно рекомбинируют с

электронами в металле.

__‘ўҐв®¤Ё®¤л

ќ­ҐаЈҐвЁзҐбЄ®© е а ЄвҐаЁбвЁЄ®© Ё§“гз ойЁе ¤Ё®¤®ў (ᢥв®-

¤Ё®¤®ў) пў“пҐвбп Єў ­в®ў п нд䥪⨢­®бвм, Є®в®а п ®ЇаҐ¤Ґ-

“пҐвбп Є Є ®в­®иҐ­ЁҐ зЁб“ Ё§“гз Ґ¬ле ў® ў­Ґ д®в®­®ў Є зЁб-

“г н“ҐЄва®­®ў, Їа®е®¤пйЁе зҐаҐ§ p-n-ЇҐаҐе®¤. •®вп нв ўҐ“Ё-

зЁ­ ⥮аҐвЁзҐбЄЁ ¬®¦Ґв ¤®бвЁЈ вм 100%, Їа ЄвЁзҐбЄЁ ®­ Ї®-

ап¤Є 0,1...1%. Это объясняется большой долей безизлуча-

тельных переходов в общем рекомбинационном процессе и малос-

тью доли фотонов, выходящих из светодиода. С понижением тем-

пературы вероятность излучательной рекомбинации растет и

квантовая эффективность увеличивается.

Отличительными особенностями светодиодов по сравнению с

обычными источниками света являются малые размеры, малые ра-

бочие напряжения, высокое быстродействие (__~__10__ __c) Ё Ў®“ми®©

ба®Є б“г¦Ўл. ‘ўҐв®¤Ё®¤л ­ 室пв иЁа®Є®Ґ применение для схем

автоматики, световых табло, оптронов.

__’г­­Ґ“м­лҐ „Ё®¤л

’г­­Ґ“м­л© ¤Ё®¤ пў“пҐвбп б ў®“мв- ¬ЇҐа­®© е а ЄвҐаЁбвЁЄ®©

N-вЁЇ , а Ў®в Є®в®а®Ј® ®б­®ў ­ ­ вг­­Ґ“м­®¬ Їа®е®¦¤Ґ­ЁЁ

­®бЁвҐ“Ґ© § ап¤ зҐаҐ§ Ї®вҐ­жЁ “м­л© Ў амҐа p-n-ЇҐаҐе®¤ .

Љ Є Ё§ўҐбв­®, ўҐа®пв­®бвм вг­­Ґ“м­®Ј® Їа®е®¦¤Ґ­Ёп з бвЁж зҐ-

१ Ї®вҐ­жЁ “м­л© Ў амҐа а бвҐв б 㬥­м襭ЁҐ¬ ҐЈ® иЁаЁ­л.

Џ®н⮬㠤“п ᮧ¤ ­Ёп вг­­Ґ“м­ле ¤Ё®¤®ў ЁбЇ®“м§гов p-n-ЇҐаҐ-

室л б г§Є®© ®Ў“ бвмо ®Ўкс¬­®Ј® § ап¤ . „агЈЁ¬ вॡ®ў ­ием к

материалу туннельного для диода является необходимость вы-

рождения p- и n- областей. Полупроводники становяться вырож-

денными при сильном легировании. Уровень Ферми в этом слу-

чае расположен в разрешенной зоне. С повышением концентра-

ции примесей уменьшается и ширина области объемного заряда

p-n-перехода (при N__a__=N__d__=10 б¬ ,d 10 б¬). ’ ЄЁ¬ ®Ўа §®¬,

бЁ“м­л¬ “ҐЈЁа®ў ­ЁҐ¬ ®Ў“ б⥩ p-n-ЇҐаҐе®¤ ¤®бвЁЈ Ґвбп ўл-

஦¤Ґ­ЁҐ p- Ё n- Ї®“гЇа®ў®¤­ЁЄ®ў Ё ¬ “®Ґ §­ 祭ЁҐ иЁаЁ­л

p-n-перехода.

Эквивалентная схема _ R

вг­­Ґ“м­®Ј® ¤Ё®¤ ¬®¦Ґв__ __ЪДД____ДД__ї

Ўлвм ЇаҐ¤бв ў“Ґ­ ў ўЁ¤Ґ__ тДДДД__ґ _ C__ ГД____ДД


ДДДт

(ђЁб. 3). __ __АДД___ДДД__Щ _ r__ _ L

__ __ ђЁб. 3

Ћ­ б®бв®Ёв Ё§ ¤ЁддҐаҐ­жЁ “м­®Ј® б®Їа®вЁў“Ґ­Ёп p-n-ЇҐаҐе®-

¤ _ R__, § ап¤­®© с¬Є®бвЁ _ C__, б®Їа®вЁў“Ґ­Ёп Ї®вҐам _ r, __Ё­¤гЄвЁў-

­®бвЁ ўлў®¤®ў_ L. __…¬Є®бвм Є®аЇгб вг­­Ґ“м­®Ј® ¤Ё®¤ ¬®¦­®

гзҐбвм ў схеме внешней цепи, поэтому мы её для простоты

опустим. Перенос тока в туннельном диоде при V<V__®бв__ ®бгйҐб-

вў“пҐвбп ®б­®ў­л¬Ё ­®бЁвҐ“п¬Ё, ­Ґ ­Ґ®б­®ў­л¬Ё, Є Є ў ®Ўлз-

­ле ¤Ё®¤ е. ‘Є®а®бвм а бЇа®бва®­Ґ­Ёп Їа®жҐбб ®ЇаҐ¤Ґ-

“пҐвбп ўаҐ¬Ґ­Ґ¬ ॓ Єб жЁЁ . ќв® ўаҐ¬п Ї®ап¤Є 10 ...

10 б Ё ®­® ­Ґ ®Ја ­ЁзЁў Ґв з бв®в­лҐ бў®©бвў ЇаЁЎ®а .

Џ®н⮬㠢 нЄўЁў “Ґ­в­®© б奬Ґ ®вбгвбвўгҐв ¤Ёддг§Ё®­­ п

с¬Є®бвм p-n-ЇҐаҐе®¤ , ўбҐ ®бв “м­лҐ н“Ґ¬Ґ­вл Їа ЄвЁзҐбЄЁ

­Ґ § ўЁбпв ®в з бв®вл.

На основании эквивалентной схемы нетрудно записать выраже-

ние для полного сопротивления туннельного диода, а из него

определить предельную и собственную резонансную частоту.

Туннельные диоды, благодаря их высокочастотным свойствам,

применяються в схемах высокочастотного переключения, а

так-же для усиления и генерирования колебаний на сверхвысо-

ких частотах. Схема переключения подобна аналогичной схеме

на S-диоде. Для того чтобы нагрузочная прямая пересекала

вольт-амперную характеристику в трех точках, сопротивление

нагрузки должно быть больше дифференциального сопротивления

диода на участке отрицательного сопротивления.

Вследствии большей ширины запрещённой зоны арсенида гал-

лия напряжение срыва в диодах из него (__~__1 B) ўлиҐ, 祬 ў

¤Ё®¤ е Ё§ ЈҐа¬ ­Ёп (__~__0,4 B). Џ®н⮬㠤Ё®¤л Ё§ аᥭЁ¤ Ј “-

“Ёп ЇаҐ¤Ї®звЁвҐ“м­ҐҐ ¤“п ЁбЇ®“짮ў ­Ёп ў ЇҐаҐЄ“оз ойЁе гб-

ва®©бвў е (ў ®б®ЎҐ­­®бвЁ ¤“п бзҐв­®© вҐе­ЁЄЁ) Ё ў ЈҐ­Ґа в®-

а е. ?Ёа®Є п § ЇаҐйҐ­­ п §®­ ®Ўгб“ ў“Ёў ет и большую их

термостабильность. Германиевые туннельные диоды имеют

меньший уровень собственных шумов, что важно для использова-

ния в схемах усилителей.

__

_н_м___ц_=_ь_____________<____*.FRM_________________________________________*.MAC______________________________________________________________(___Ѓ____@__яяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяя_